TPH3206PS
رقم الجزء
TPH3206PS
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Transphorm
وصف
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1732
بنفايات الدولة
NO
حصة
PDF:
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$11.63
$11.63
50
$6.49
$324.5
100
$5.99
$599
500
$5.45
$2725
نوع التثبيت
Through Hole
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
ميزة FET
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
الصف
-
التأهيل
-
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
الحزمة / العلبة
TO-220-3
حالة القطعة
Not For New Designs
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
17A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
600 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
96W (Tc)
Vgs (الحد الأقصى)
±18V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
تكنولوجيا
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.6V @ 500µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
760 pF @ 480 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP