TPH3212PS
رقم الجزء
TPH3212PS
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
Transphorm
وصف
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
تغليف
Tube
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة
NO
PDF：
مخزون
base.lang_mini : 0
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
حالة القطعة
Obsolete
نوع التثبيت
Through Hole
نوع FET
N-Channel
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
10V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
المورد الجهاز الحزمة
TO-220AB
الحزمة / العلبة
TO-220-3
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
27A (Tc)
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
650 V
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
104W (Tc)
Vgs (الحد الأقصى)
±18V
تكنولوجيا
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.6V @ 400uA
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
1130 pF @ 400 V
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال