XP3N5R0AYT
رقم الجزء
XP3N5R0AYT
تصنيف المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
YAGEO XSemi
وصف
MOSFET N-CH 30V 20A 63.5A PMPAK
تغليف
Cut Tape (CT)
التعبئة
الكمية
2600
بنفايات الدولة
NO
مخزون
base.lang_mini : 1
الكمية
الأسعار
السعر الإجمالي
1
$0.92
$0.92
10
$0.6
$6
100
$0.4
$40
500
$0.32
$160
1000
$0.29
$290
حالة القطعة
Active
نوع التثبيت
Surface Mount
نوع FET
N-Channel
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (الحد الأقصى)
±20V
ميزة FET
-
الصف
-
التأهيل
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
جهد التشغيل (أقصى مقاومة Rds عند التشغيل، أدنى مقاومة Rds عند التشغيل)
4.5V, 10V
الجهد من المصرف إلى المصدر (Vdss)
30 V
شحنة البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs(th) (الحد الأقصى) @ Id
2.3V @ 250µA
Rds On (الحد الأقصى) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
السعة المدخلة (Ciss) (الحد الأقصى) عند Vds
2800 pF @ 15 V
الحزمة / العلبة
8-PowerDFN
استهلاك الطاقة (الحد الأقصى)
3.12W (Ta)
المورد الجهاز الحزمة
PMPAK® 3 x 3
التيار - استنزاف مستمر (Id) عند 25 درجة مئوية
20A (Ta), 63.5A (Tc)
أحدث المنتجات
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
مسح رمز الاستجابة السريع للجوال