15N10
Número de pieza
15N10
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
UMW
Descripción
100V 15A 50W 80MR@10V,10A 2.5V@2
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
3294
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.92
$0.92
10
$0.58
$5.8
100
$0.37
$37
500
$0.29
$145
1000
$0.26
$260
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia (Máx.)
55W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
632 pF @ 50 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
19.2 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
110mOhm @ 10A, 10V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP