2301
Número de pieza
2301
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
3886
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.36
$0.36
10
$0.22
$2.2
100
$0.14
$14
500
$0.1
$50
1000
$0.09
$90
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Vgs (Máx.)
±12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
2.5V, 4.5V
Disipación de Potencia (Máx.)
1W (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
900mV @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
640 pF @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.5 nC @ 2.5 V
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