2301H
Número de pieza
2301H
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4351
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.29
$0.29
10
$0.17
$1.7
100
$0.11
$11
500
$0.08
$40
1000
$0.07
$70
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.4V @ 250µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.5 nC @ 2.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
366 pF @ 15 V
Disipación de Potencia (Máx.)
890mW (Tc)
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