2N7002EY
Número de pieza
2N7002EY
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Descripción
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
73789
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.14
$0.14
10
$0.09
$0.9
100
$0.05
$5
500
$0.04
$20
1000
$0.03
$30
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Temperatura de Operación
150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Disipación de Potencia (Máx.)
350mW (Ta)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5Ohm @ 300mA, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
340mA (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
18 pF @ 30 V
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