30N03A
Número de pieza
30N03A
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
UMW
Descripción
TO-252 MOSFETS ROHS
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2896
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.9
$0.9
10
$0.56
$5.6
100
$0.36
$36
500
$0.28
$140
1000
$0.25
$250
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia (Máx.)
105W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1963 pF @ 15 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP