3401
Número de pieza
3401
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
3949
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.41
$0.41
10
$0.25
$2.5
100
$0.16
$16
500
$0.12
$60
1000
$0.1
$100
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Vgs (Máx.)
±12V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
670 pF @ 15 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.3V @ 250µA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.2W (Tc)
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP