AC2M0025120D
Número de pieza
AC2M0025120D
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
APSEMI
Descripción
SIC MOSFET N-CH 1200V 94A TO247-
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$13.67
$13.67
11
$12.76
$140.36
51
$11.4
$581.4
101
$8.2
$828.2
501
$6.84
$3426.84
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3
Disipación de Potencia (Máx.)
380W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 15mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
32mOhm @ 50A, 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
94A
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