AC2M1000170D
Número de pieza
AC2M1000170D
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
APSEMI
Descripción
SIC MOSFET N-CH 1700V 6A TO247-3
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1878
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$3.28
$3.28
11
$3.06
$33.66
51
$2.73
$139.23
101
$1.97
$198.97
501
$1.64
$821.64
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C
Disipación de Potencia (Máx.)
68W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6A
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1700 V
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 0.5mA
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