AC3M0016120K
Número de pieza
AC3M0016120K
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
APSEMI
Descripción
SIC MOSFET N-CH 1200V 117A TO247
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$35.55
$35.55
11
$33.18
$364.98
51
$29.63
$1511.13
101
$21.33
$2154.33
501
$17.78
$8907.78
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
117A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs (Máx.)
+19V, -8V
Disipación de Potencia (Máx.)
555W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
22.3mOhm @ 75A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.6V @ 23mA
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