AC3M0045065K
Número de pieza
AC3M0045065K
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
APSEMI
Descripción
SIC MOSFET N-CH 650V 50A TO247-4
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$8.76
$8.76
11
$8.17
$89.87
51
$7.29
$371.79
101
$5.25
$530.25
501
$4.38
$2194.38
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
50A
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs (Máx.)
+19V, -8V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
60mOhm @ 17.6A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.6V @ 4.84mA
Disipación de Potencia (Máx.)
178W
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