AC3M0075120K
Número de pieza
AC3M0075120K
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
APSEMI
Descripción
SIC MOSFET N-CH 1200V 33A TO247-
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
6600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$5.47
$5.47
11
$5.11
$56.21
51
$4.56
$232.56
101
$3.28
$331.28
501
$2.73
$1367.73
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
33A
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs (Máx.)
+19V, -8V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.6V @ 5mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
95mOhm @ 20A, 15V
Disipación de Potencia (Máx.)
136W
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