AC3M0280090D
Número de pieza
AC3M0280090D
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
APSEMI
Descripción
SIC MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$3.55
$3.55
11
$3.32
$36.52
51
$2.96
$150.96
101
$2.13
$215.13
501
$1.78
$891.78
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-247-3
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
900 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-3
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
11A
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+19V, -8V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
360mOhm @ 7.5A, 15V
Disipación de Potencia (Máx.)
47W
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.7V @ 1.2mA
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