AO3409
Número de pieza
AO3409
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4584
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.45
$0.45
10
$0.28
$2.8
100
$0.17
$17
500
$0.13
$65
1000
$0.12
$120
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Estado de la Pieza
Not For New Designs
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Paquete / Carcasa
3-SMD, SOT-23-3 Variant
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)
1.4W (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.6A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
370 pF @ 15 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP