AS1M025120T
Número de pieza
AS1M025120T
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Descripción
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
1613
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$40.49
$40.49
30
$26.84
$805.2
120
$26.84
$3220.8
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
370W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
20V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
+25V, -10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247-4
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4V @ 15mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
195 nC @ 20 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4200 pF @ 1000 V
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