AS2312
Número de pieza
AS2312
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Descripción
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
12057
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.25
$0.25
10
$0.16
$1.6
100
$0.1
$10
500
$0.07
$35
1000
$0.06
$60
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de Operación
150°C (TJ)
Vgs (Máx.)
±10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1V @ 250µA
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Disipación de Potencia (Máx.)
1.2W (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
1.8V, 4.5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
11.05 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
888 pF @ 10 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil