BSS84
Número de pieza
BSS84
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Descripción
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
106953
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.19
$0.19
10
$0.11
$1.1
100
$0.07
$7
500
$0.05
$25
1000
$0.04
$40
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
50 V
Temperatura de Operación
150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
130mA (Ta)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
8Ohm @ 150mA, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)
225mW (Ta)
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
30 pF @ 30 V
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