CC-C2-B15-0322
Número de pieza
CC-C2-B15-0322
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
CoolCAD
Descripción
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1605
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 5
Cantidad
Precio
Precio total
5
$7.7
$38.5
10
$6.6
$66
100
$6.05
$605
Tipo de Montaje
Through Hole
Estado de la Pieza
Active
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Disipación de Potencia (Máx.)
100W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Temperatura de Operación
-40°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-247
Paquete / Carcasa
TO-247-4
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.2V @ 5mA
Vgs (Máx.)
+15V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
135mOhm @ 10A, 15V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
40 nC @ 15 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1810 pF @ 200 V
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