CGD65A055SH2
Número de pieza
CGD65A055SH2
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Cambridge GaN Devices
Descripción
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4720
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$13.86
$13.86
10
$9.66
$96.6
100
$8.38
$838
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
12V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
27A
Vgs (Máx.)
+20V, -1V
Proveedor Dispositivo Paquete
16-DFN (8x8)
Paquete / Carcasa
16-PowerVDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
77mOhm @ 2.2A, 12V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.2V @ 10mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4 nC @ 12 V
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