CGD65B130SH2
Número de pieza
CGD65B130SH2
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Cambridge GaN Devices
Descripción
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
6549
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$7.81
$7.81
10
$5.28
$52.8
100
$3.94
$394
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN (5x6)
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
12V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
12A
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
4.2V @ 4.2mA
Vgs (Máx.)
+20V, -1V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.9 nC @ 12 V
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