EPC2001C
Número de pieza
EPC2001C
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
56638
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$6.58
$6.58
10
$4.4
$44
100
$3.17
$317
500
$3.13
$1565
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Estado de la Pieza
Not For New Designs
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
36A (Ta)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 5mA
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
900 pF @ 50 V
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