EPC2010C
Número de pieza
EPC2010C
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4756
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$8.77
$8.77
10
$5.96
$59.6
100
$4.59
$459
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Estado de la Pieza
Not For New Designs
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
22A (Ta)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
5.3 nC @ 5 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 3mA
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
540 pF @ 100 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
25mOhm @ 12A, 5V
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