EPC2012
Número de pieza
EPC2012
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 200V 3A DIE
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Discontinued at
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-40°C ~ 125°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 1mA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
1.8 nC @ 5 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -5V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
145 pF @ 100 V
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