EPC2014C
Número de pieza
EPC2014C
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
23076
Estado rohs
NO
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PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$2.42
$2.42
10
$1.55
$15.5
100
$1.05
$105
500
$0.84
$420
1000
$0.81
$810
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 2mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
300 pF @ 20 V
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