EPC2015C
Número de pieza
EPC2015C
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 40V 53A DIE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
14886
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$6.49
$6.49
10
$4.35
$43.5
100
$3.13
$313
500
$3.08
$1540
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Estado de la Pieza
Not For New Designs
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.7 nC @ 5 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 9mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
53A (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1180 pF @ 20 V
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