EPC2016C
Número de pieza
EPC2016C
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
46250
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$3.74
$3.74
10
$2.44
$24.4
100
$1.7
$170
500
$1.46
$730
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Estado de la Pieza
Not For New Designs
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
420 pF @ 50 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 3mA
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
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