EPC2021
Número de pieza
EPC2021
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4667
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$11.13
$11.13
10
$7.67
$76.7
100
$6.29
$629
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Estado de la Pieza
Not For New Designs
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 14mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1650 pF @ 40 V
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