EPC7014UBC
Número de pieza
EPC7014UBC
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC Space, LLC
Descripción
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
1690
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$200.08
$200.08
10
$184.4
$1844
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Proveedor Dispositivo Paquete
4-SMD
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Paquete / Carcasa
4-SMD, No Lead
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 140µA
Vgs (Máx.)
+7V, -4V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
22 pF @ 30 V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil