EPC8004
Número de pieza
EPC8004
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 40V 4A DIE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4154
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$4.72
$4.72
10
$3.11
$31.1
100
$2.19
$219
500
$2
$1000
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
110mOhm @ 500mA, 5V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
52 pF @ 20 V
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