EPC8009
Número de pieza
EPC8009
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
EPC
Descripción
GANFET N-CH 65V 4A DIE
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
15642
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$5.06
$5.06
10
$3.35
$33.5
100
$2.37
$237
500
$2.2
$1100
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
5V
Temperatura de Operación
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
65 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Máx.)
+6V, -4V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
0.45 nC @ 5 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
130mOhm @ 500mA, 5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
52 pF @ 32.5 V
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