FDD6676AS
Número de pieza
FDD6676AS
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Encapsulamiento
Bulk
Embalaje
Número
210910
Estado rohs
NO
Compartir
PDF:
Inventario
base.lang_mini : 251
Cantidad
Precio
Precio total
251
$1.32
$331.32
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3V @ 1mA
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2500 pF @ 15 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252 (DPAK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Disipación de Potencia (Máx.)
70W (Ta)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 16A, 10V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP