FF06100G
Número de pieza
FF06100G
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
fastSiC
Descripción
SICFET N-CH 650V 20.6A PDFN8x8
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1804
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$8.99
$8.99
10
$3.29
$32.9
100
$3.07
$307
3000
$2.99
$8970
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Disipación de Potencia (Máx.)
83W (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete / Carcasa
4-PowerTSFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Vgs (Máx.)
18V
Proveedor Dispositivo Paquete
4-PDFN (8x8)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
43 nC @ 15 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.2V @ 14mA
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