FF12080J-7A
Número de pieza
FF12080J-7A
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
fastSiC
Descripción
SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
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PDF:
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$13.95
$13.95
10
$5.11
$51.1
100
$4.77
$477
4000
$4.65
$18600
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)
214W (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 20mA
Proveedor Dispositivo Paquete
D2PAK-7L
Vgs (Máx.)
18V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
112mOhm @ 8A, 18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
73 nC @ 15 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1548 pF @ 800 V
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