FF17900J-7
Número de pieza
FF17900J-7
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
fastSiC
Descripción
SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1890
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$5.12
$5.12
10
$1.88
$18.8
100
$1.75
$175
4000
$1.71
$6840
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Paquete / Carcasa
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 1mA
Disipación de Potencia (Máx.)
83W (Tc)
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1700 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
18V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
19 nC @ 15 V
Proveedor Dispositivo Paquete
D2PAK-7L
Vgs (Máx.)
18V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 500mA, 18V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
266 pF @ 1.2 kV
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