FL06150G
Número de pieza
FL06150G
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
fastSiC
Descripción
SICFET N-CH 650V 15A PDFN8x8
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1894
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$6.05
$6.05
10
$2.22
$22.2
100
$2.07
$207
3000
$2.02
$6060
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
68W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete / Carcasa
4-PowerTSFN
Vgs (Máx.)
15V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2V @ 8mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
29.5 nC @ 12 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
672 pF @ 400 V
Proveedor Dispositivo Paquete
4-PDFN (8x8)
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