FL06250A
Número de pieza
FL06250A
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
fastSiC
Descripción
SICFET N-CH 650V 10.7A TO-252
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Paquete / Carcasa
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-252
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)
15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
10.7A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
46.8W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
330mOhm @ 3A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2V @ 6mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
18.2 nC @ 12 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
436 pF @ 400 V
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