FL06320G
Número de pieza
FL06320G
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
fastSiC
Descripción
SICFET N-CH 650V 8.8A PDFN8x8
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1900
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$3.65
$3.65
10
$1.34
$13.4
100
$1.25
$125
3000
$1.22
$3660
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
41W (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
650 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
15V
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete / Carcasa
4-PowerTSFN
Vgs (Máx.)
15V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
344 pF @ 400 V
Proveedor Dispositivo Paquete
4-PDFN (8x8)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
320mOhm @ 2A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.5V @ 4mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
14.5 nC @ 12 V
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