FQA65N20
Número de pieza
FQA65N20
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
5505
Estado rohs
NO
PDF：
Inventario
base.lang_mini : 200
Cantidad
Precio
Precio total
200
$5.28
$1056
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Paquete / Carcasa
TO-3P-3, SC-65-3
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±30V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5V @ 250µA
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7900 pF @ 25 V
Disipación de Potencia (Máx.)
310W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
32mOhm @ 32.5A, 10V
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