FQPF3N60
Número de pieza
FQPF3N60
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Fairchild Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
Encapsulamiento
Tube
Embalaje
Número
3960
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 497
Cantidad
Precio
Precio total
497
$0.66
$328.02
Estado de la Pieza
Obsolete
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
600 V
Paquete / Carcasa
TO-220-3 Full Pack
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Vgs (Máx.)
±30V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1A, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
5V @ 250µA
Disipación de Potencia (Máx.)
34W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete
TO-220F-3
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