G01N20LE
Número de pieza
G01N20LE
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2418
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.58
$0.58
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.15
$150
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
200 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
1.5W (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
580 pF @ 25 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Los últimos productos
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Escanear código QR móvil