G1003A
Número de pieza
G1003A
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
4595
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.59
$0.59
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.16
$160
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
100 V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23-3
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
1.5W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
532 pF @ 25 V
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