G12P03D3
Número de pieza
G12P03D3
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
9033
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.98
$0.98
10
$0.61
$6.1
100
$0.39
$39
500
$0.3
$150
1000
$0.27
$270
2000
$0.25
$500
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET
P-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
30 V
Disipación de Potencia (Máx.)
30W (Tc)
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN (3.15x3.05)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1337 pF @ 15 V
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