G30N04D3
Número de pieza
G30N04D3
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 30A DFN33-8L
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
1858
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$1.18
$1.18
10
$0.74
$7.4
100
$0.48
$48
500
$0.37
$185
1000
$0.34
$340
2000
$0.31
$620
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
50W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.5V @ 250µA
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
40 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Paquete / Carcasa
8-PowerVDFN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1940 pF @ 20 V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN (3.15x3.05)
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