G65P06D5
Número de pieza
G65P06D5
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
2019
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$1.72
$1.72
10
$1.08
$10.8
100
$0.72
$72
500
$0.57
$285
1000
$0.52
$520
2000
$0.5
$1000
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
10V
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
3.5V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)
104W (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa
8-PowerTDFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-DFN (4.9x5.75)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6138 pF @ 25 V
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