G6N02L
Número de pieza
G6N02L
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
3300
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$0.48
$0.48
10
$0.29
$2.9
100
$0.19
$19
500
$0.14
$70
1000
$0.12
$120
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Proveedor Dispositivo Paquete
SOT-23-3
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Vgs (Máx.)
±12V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
2.5V, 4.5V
Disipación de Potencia (Máx.)
1W (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
900mV @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 3A, 4.5V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1151 pF @ 15 V
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