GPIHV7DK
Número de pieza
GPIHV7DK
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
GaNPower
Descripción
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
Encapsulamiento
Tape & Reel (TR)
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
7A
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Vgs (Máx.)
+7.5V, -12V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.7V @ 3.5mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
90 pF @ 700 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
3.1 nC @ 6 V
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