GPIXV30DFN
Número de pieza
GPIXV30DFN
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
GaNPower
Descripción
GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
Encapsulamiento
Bag
Embalaje
Número
1600
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 0
Cantidad
Precio
Precio total
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de FET
N-Channel
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)
-
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
-
Paquete / Carcasa
Die
Proveedor Dispositivo Paquete
Die
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
1200 V
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
30A
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
6V
Vgs (Máx.)
+7.5V, -12V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
1.4V @ 3.5mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
8.25 nC @ 6 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
236 pF @ 400 V
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