GT110N06S
Número de pieza
GT110N06S
Clasificación del producto
FET individuales, MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Descripción
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Encapsulamiento
Cut Tape (CT)
Embalaje
Número
5133
Estado rohs
NO
Inventario
base.lang_mini : 1
Cantidad
Precio
Precio total
1
$1.25
$1.25
10
$0.78
$7.8
100
$0.51
$51
500
$0.4
$200
1000
$0.36
$360
2000
$0.33
$660
Estado de la Pieza
Active
Tipo de Montaje
Surface Mount
Paquete / Carcasa
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)
±20V
FET Característica
-
Grado
-
Calificación
-
Temperatura de Operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)
4.5V, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete
8-SOP
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id
2.4V @ 250µA
Disipación de Potencia (Máx.)
3W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
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